耐高压 IGBT 封装环氧树脂减少电场诱发芯片腐蚀问题

光伏、工业高压场景使用的 IGBT 功率器件，长期处于高电压工作环境，强电场会加速环氧树脂内部离子迁移，进而诱发芯片金属层腐蚀，造成器件绝缘性能下降甚至失效。研发耐高压型 IGBT 封装环氧树脂，抑制电场环境下的芯片腐蚀，是高压功率器件封装的重要需求。

我司研发耐高压多官能特种环氧树脂，优化树脂绝缘性能，提升体积电阻率，降低电场作用下离子迁移速率。同时严控原材料离子杂质，减少可移动带电粒子，削弱电场带来的电化学腐蚀反应，有效降低芯片腐蚀概率。树脂交联结构致密，耐电击穿强度高，可承受高压工况长期考验。

该环氧树脂耐温、耐湿热性能同步优化，在高压高温复合工况下，各项性能保持稳定，阻隔水汽与电场共同作用产生的腐蚀反应。树脂灌封成型后整体性好，内部无细微孔隙，避免电场集中现象，保护芯片区域不受局部强电场影响。

产品适配高压 IGBT 模块真空灌封工艺，流动性良好，能够均匀填充模块内部空间，固化后结构致密。经过高压老化加速测试，芯片腐蚀现象显著减少，IGBT 模块绝缘性能长期稳定，满足光伏逆变器、高压变频器等设备使用要求。

我们可根据器件额定电压等级，调整树脂绝缘等级，提供不同规格产品。耐高压专用环氧树脂，解决高压工况下 IGBT 芯片腐蚀难题，助力高压功率器件封装材料国产化升级。

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