在集成电路制造与先进封装工艺持续升级的背景下，光刻胶去除环节的工艺水平直接关系到芯片良率与器件可靠性。传统湿法去胶依赖强酸强碱化学试剂，存在环境负担与安全隐患，还容易对精细结构造成侵蚀损伤。与此同时，随着先进制程节点不断缩小，从业者普遍面临去胶均匀性控制、底层结构保护以及设备工艺参数调试等方面的技术挑战。
技术背景与干法去胶原理
等离子体干法去胶通过在真空反应腔内通入氧气、氩气或含氟气体，施加高频电磁场使气体电离形成高密度等离子体，产生的氧自由基、氟自由基与光刻胶中的碳氢化合物发生氧化反应，将其分解为CO₂、H₂O等挥发性小分子，同时配合高能离子的物理轰击作用剥离有机残留物。该技术路线避免了强酸强碱化学试剂的使用，同时通过调节气体比例、射频功率、腔室压力等参数，可在垂直方向实现去胶的同时减少横向刻蚀。
技术路线整合与温度控制
该企业将电感耦合等离子体（ICP）与反应离子刻蚀（RIE）技术路线进行整合应用，实现了对光刻胶、有机残留物及微纳米级污染物的干法去除。处理温度控制在150℃以下，以适应温度敏感器件的工艺要求。ICP技术路线通过线圈耦合射频能量产生高密度等离子体，实现较高的自由基浓度与去胶速率；RIE技术路线则增强离子轰击能量，可配合物理作用处理顽固残留物及部分表面处理需求。
产品系列与应用方向
在产品体系方面，该企业形成以下主要机型：
GD‑20RF等离子体去胶机为平台型设备，集成ICP与RIE技术路径，通过调节气体比例、射频功率、腔室压力等参数实现不同工艺需求下的去胶与表面处理。
SD‑300 ICP等离子体去胶机面向半导体先进制程、先进封装、显示面板制造及科研领域的微纳器件加工场景。
PD‑200 ICP等离子体去胶机（单腔）覆盖相近应用范围，适用于光刻胶去除与有机残留物清理。
PD‑200 RIE等离子体去胶机通过物理轰击与化学反应的协同作用，兼顾光刻胶去除、残留聚合物清理以及部分材料的刻蚀与表面处理需求。
整体而言，该企业产品覆盖ICP与RIE两种技术路线，形成适配不同工艺场景的产品组合，服务于集成电路制造与微电子加工的多个环节。
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